Microsystems Lab

 최근 디지털 영상 장치에는 CMOS(complementary metal oxide semiconductor) 이미지 센서(CMOS image sensor; CIS)가 널리 사용되고 있다. 몇 년 전까지만 해도 CIS에 비해 좋은 성능을 갖는 전하 결합 소자(charge-coupled devices; CCD)형 이미지 센서가 주로사용되어왔으나, 반도체 기술의 발전과 함께 CIS에 관한 많은 연구로 인한 성능 개선에 따라 가격이나 집적도 면에서 유리한 CIS의 사용이 증가하게 되었다.

​

​

​

​

​

​

​

​

​

​

​

​

​

​

​

​

​

  7월 4일 IC인사이츠에 따르면 올해 세계 CMOS 이미지센서 시장은 115억달러(약 13조2000억원)으로 커진다. 지난해 CMOS 이미지센서 시장은 105억달러(약 12조1000억원) 규모를 기록하며 사상 최대치를 기록했다. 올해 기대치는 작년 대비 약 9% 증가한 수준이다. [출처 : 전자신문]

​

​

​

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

​[그래프] CMOS 이미지 센서 시장 예상 성장곡선

출처 : https://www.eetasia.com/news/article/fresh-round-of-growth-begins-for-cmos-image-sensors

 

 

 

 

이미지 센서 기술의 성능 평가 요소로는 감도, 동작 범위, 동작속도, 전력소모 등이 있다. 그 중 동작 범위를 확장시키는 많은 연구가 진행되고 있다. 동작 범위 확장을 위한 기술로는 다중 샘플링 (multiple sampling), 선형 로그 응답 (linear-logarithmic response), 수직 오버팔로우 인테그레이션 커패시터 (lateral overflow integration capacitor, LOFIC) 등의 방법이 이용되고 있다.

​

 하지만, 이러한 방법들은 이미지 센서의 동작속도를 제한하고, 출력이미지를 왜곡 시키며, 화소 면적이 커진다는 단점 등이 있다. 연구실에서는 간단한 회로를 사용하여 이미지의 화질을 저하시키지 않고 동작 범위를 확장시킨 이미지 센서를 연구 및 개발하고 있다.

​

​

​